Si基板上Mgスパッタ膜のアニール処理によるMg2Siの合成と微細構造解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST13014

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2013/03/16

タイトル(英語): Synthesis of Mg2Si thin film by annealing of sputter-deposited Mg film on Si and investigation of its microstructure.

著者名: 山本 拓哉(茨城大学),安藤 龍哉(茨城大学),高木 雄太(茨城大学),佐藤 直幸(茨城大学),鵜殿 治彦(茨城大学),池畑 隆(茨城大学)

著者名(英語): Yamamoto Takuya(Ibaraki University),Ando Tatsuya(Ibaraki University),Takagi Yuta(Ibaraki University),Sato Naoyuki(Ibaraki University),Udono Naohiko(Ibaraki University),Ikehata Takashi(Ibaraki University)

要約(日本語): マグネシウムシリサイド（Mg2Si）は赤外線領域での光コンポーネントと熱電デバイスに応用可能な材料として注目されている．また構成元素は非毒性で埋蔵量も豊富なため環境にやさしい半導体である．私たちはマグネトロンスパッタを用いてSi単結晶基板上にMg薄膜を堆積させ，さらに希ガス雰囲気中でのアニール処理によってMg2Siを合成した．今回はMg2Siを合成する際の最適条件と微細構造解析について報告する．

原稿種別: 日本語

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