パルススパッタペニング放電によるN2/Ar混合ガス環境下でのチタン薄膜の形成
パルススパッタペニング放電によるN2/Ar混合ガス環境下でのチタン薄膜の形成
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: PST16096
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会
発行日: 2016/10/21
タイトル(英語): Titanium thin film deposition in ambient nitrogen/argon mixture gas using high-power pulsed sputtering Penning discharge
著者名: 東 欣吾(兵庫県立大学),楠橋 悠真(兵庫県立大学)
著者名(英語): Kingo Azuma(University of Hyogo),Yuhma Kusuhashi(University of Hyogo)
キーワード: 大電力パルススパッタリング|グロー放電|ペニング放電|チタンプラズマ|プラズマイオンプロセス|High power pulsed sputtering|Glow discharge|Penning discharge|Titanium plasma|Plasma ion process
要約(日本語): 窒素/アルゴン混合ガス下でチタンのHPPSペニング放電プラズマを生じさせ、チタン薄膜の形成を試みた。窒素の混合比が20%のとき、T-S距離が40 mm では、成膜速度は 9.6 nm/min になり、15 mm では、30 nm/minになった。T-S距離15 mmでフローティング状態にあるコレクタ電極上でガラス基板に形成された薄膜のX線回折パターンには、TiN(200)面の存在を示唆する強い輝線が現れた。
要約(英語): Titanium plasmas were generated by HPPS Penning plasma in ambient argon/nitrogen mixed gas. The thin films were deposited on the glass substrates located in 15-40 mm from plasma source. The deposition rates at N2 ratio of 20% were about 9.6 nm/min at T-S distance of 40 mm and 30 nm/min at 15 mm without biasing voltage to the substrates. They were reduced 10% and 22% relative to only argon gas atmosphere, respectively. The XRD patterns indicated that the thin films were composed of titanium nitride.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,383 Kバイト
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