ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板の高速酸化試験および数値解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST17072

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2017/10/25

タイトル(英語): Rapid Oxidation of Si Substrate using Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas and Numerical Analysis

著者名: 土谷 拓光(金沢大学),藤田 敦士(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(株式会社シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(株式会社シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Takumi Tsuchiya(Kanazawa University),Atsushi Fujita(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ|酸化|シリコン|表面改質|熱流体解析|酸化シミュレーション|Inductively coupled thermal plasma|Oxidation|Silicon|Surface modification|Thermal fluid analysis|Oxidation simulation

要約(日本語): 本論文では，ループ型Ar/O2誘導熱プラズマ(ICTP)を用いた2インチSi基板の2次元酸化試験の結果を報告する。ループ型ICTP装置は，熱プラズマによる大面積プロセスを目指し，筆者らが独自開発したものである。ループ型ICTPの一部を基板上に生成・維持した状態で基板を掃引させることで，基板全体に熱プラズマを照射できる。酸化速度は100 nm/minと見積もられ，従来法と比較して約10倍の速さで酸化処理できることを確認している。

要約(英語): This paper describes experimental results on 2D rapid surface oxidation for 2-inch Si substrates using a loop type of inductively coupled thermal plasma (loop-ICTP) torch. The loop-ICTP torch has originally been developed for large-area materials processing. The oxidation rate using Ar/O2 loop-ICTP was estimated to be 100 nm/min.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,127 Kバイト