表面波プラズマCVDを用いた窒化ホウ素膜の合成と物性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST17084

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2017/10/26

タイトル(英語): Synthesis of Boron Nitride Films by Surface-Wave Plasma-Enhanced CVD and Characterization of Their Physical Properties

著者名: 神村 勇馬(九州大学),鳥越 雅敬(九州大学),石田 学(九州大学),高橋 里奈(九州大学),堤井 君元(九州大学),松本 精一郎(九州大学)

著者名(英語): Yuma Kamimura(Kyushu University),Masataka Torigoe(Kyushu University),Manabu Ishida(Kyushu University),Rina Takahashi(Kyushu University),Kungen Teii(Kyushu University),Seiichiro Matsumoto(Kyushu University)

キーワード: マイクロ波プラズマ|窒化ホウ素|イオン衝撃|誘電体|パワーデバイス|Microwave plasma|Boron nitirde|Ion bombardment|Dielectric|Power device

要約(日本語): 2.45GHzマイクロ波で動作する表面波プラズマを用い、高イオンフラックス条件下で、イオン照射エネルギーまたは基板温度を変化させて高密度な窒化ホウ素膜を蒸着した。

要約(英語): A surface-wave plasma operated at 2.45 GHz microwave was used to deposit dense hexagonal boron nitride films by varying either the ion energy or substrate temperature under a high ion flux condition.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 505 Kバイト