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Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像

Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像

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カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2011/06/01

タイトル(英語): Stable Position of a B12 Cluster Near the Si Surface and its STM Images

著者名: 伊藤 俊佑(東京都市大学),丸泉 琢也(東京都市大学),諏訪 雄二((株) 日立製作所基礎研究所)

著者名(英語): Shunsuke Ito (Tokyo City University), Takuya Maruizumi (Tokyo City University), Yuji Suwa (Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.)

キーワード: B12クラスタ,Si表面,第一原理計算,STM像  B12 cluster,Si surface,First-principle calculation,STM image

要約(英語): We conducted a first-principles examination to determine the most stable position of an icosahedral B12 cluster near a Si(001) surface. We discovered that such a cluster is most stable when its center is located at the fourth layer position from the Si top surface where a Si dimer sits directly overhead. Scanning tunneling microscopy (STM) simulation revealed that Si dimers above the B12 cluster are distinguishable from other dimers in STM images of low sample bias voltages.

本誌: 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.131 No.6 (2011) 特集:電気電子絶縁材料システムシンポジウム

本誌掲載ページ: 478-483 p

原稿種別: 論文/日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/131/6/131_6_478/_article/-char/ja/

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