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シリコーンゲルを用いたパワーモジュールのボイド残留要因と簡易的封止手法の提案

シリコーンゲルを用いたパワーモジュールのボイド残留要因と簡易的封止手法の提案

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カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2014/11/01

タイトル(英語): Simplified Void-free Encapsulation Technique for Power Semiconductor Devices using Silicone Gel

著者名: 佐藤 正寛(東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻),熊田 亜紀子(東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻),日高 邦彦(東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻),山城 啓輔(富士電機(株)技術開発本部 先端技術研究所),早瀬 悠二(富士電機(株)技術開発本部 先端技術研究所),高野 哲美(富士電機(株)技術開発本部 先端技術研究所)

著者名(英語): Masahiro Sato (The University of Tokyo), Akiko Kumada (The University of Tokyo), Kunihiko Hidaka (The University of Tokyo), Keisuke Yamashiro (Fuji Electric Co., Ltd.), Yuji Hayase (Fuji Electric Co., Ltd.), Tetsumi Takano (Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: 部分放電,ボイド,パワーモジュール,シリコーンゲル  partial discharge,void,power module,silicone gel

要約(英語): The operating voltage of power electronics modules is increasing and it results in higher demands on the electrical insulation. Therefore, it is essential to overcome weak points in the insulation system. The weak points were specified by observing the trace of partial discharges (PDs) by a microscope. When the applied voltage is slightly above partial discharge inception voltage, streamer inception occurred at indented rims of the metallization. Silicone gel is used to encapsulate power electronic circuits. Sometimes the degassing is imperfect and voids may form. These voids induce PDs and limit the reliability of the module. As the indented rims may not be degassed and may contain voids, a simplified encapsulation technique is discussed quantitatively and was verified experimentally. The proposed encapsulation technique could reduce the number and amplitude of PDs.

本誌: 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.134 No.11 (2014)

本誌掲載ページ: 572-577 p

原稿種別: 論文/日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/134/11/134_572/_article/-char/ja/

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