SiCデバイスのパルスパワースイッチング回路への適用研究

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2019/08/01

タイトル(英語): Study of SiC Device for Pulsed Power Switching Circuit

著者名: 田川　亨（熊本大学），山下　智彦（熊本大学），佐久川　貴志（熊本大学），勝木　淳（熊本大学），福田　憲司（産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター），坂本　邦博（産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター）

著者名(英語): Toru Tagawa (Kumamoto University), Tomohiko Yamashita (Kumamoto University), Takashi Sakugawa (Kumamoto University), Sunao Katsuki (Kumamoto University), Kenzi Hukuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Kunihiro Sakamoto (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: パルスパワー，シリコンカーバイド，MOSFET　　pulsed power，silicon carbide，MOSFET

要約(英語): Pulsed power generator using semiconductor switches have been developed. We have developed switching module using discrete type Silicon Carbide (SiC) Device for pulsed power circuit. We compare the switching module using SiC-MOSFETs with conventional module using IGBTs. Both of switching devices the switching loss increased when the voltage get higher. The switching module using SiC-MOSFETs can input higher voltage and has less switching loss in same input voltage. Also, we have investigate the switching loss depend on di/dt at switching. The permissible di/dt of SiC-MOSFETs were higher than IGBTs. However, there is a limit to the value of permissible di/dt. The loss in this module is reduced by applying magnetic assist. The advantage of SiC-MOSFET was confirmed in switching for pulsed power.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.139 No.8 （2019）

本誌掲載ページ: 345-350 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/139/8/139_345/_article/-char/ja/