種々の条件におけるマイクロ波プラズマを用いたSi基板上へのSiO2薄膜の形成および評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2020/04/01

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of SiO2 Thin Films on Si Substrates by Microwave Plasma in Various Conditions

著者名: 小川　隼平（埼玉工業大学 情報システム専攻），黒田　達也（埼玉工業大学 情報システム専攻），加藤　那征（埼玉工業大学 情報システム専攻），芳賀　洋典（埼玉工業大学 情報システム専攻），石崎　博基（埼玉工業大学 情報システム専攻）

著者名(英語): Shumpei Ogawa (Saitama Institute of Technology), Tatsuya Kuroda (Saitama Institute of Technology), Yasuyuki Katou (Saitama Institute of Technology), Hironori Haga (Saitama Institute of Technology), Hiroki Ishizaki (Saitama Institute of Technology)

キーワード: 酸化シリコン，ゲート絶縁膜，マイクロ波プラズマ　　SiO2，gate insulating，microwave plasma

要約(英語): In the improving the characteristics of gate insulating films, the SiN thin films by microwave plasma can obtain a low interface state density. In this investigation, SiO2 thin films on Si substrate were fabricated by microwave plasma in various conditions and evaluated

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.140 No.4 （2020） 特集：2019年基礎・材料・共通部門大会

本誌掲載ページ: 186-192 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/140/4/140_186/_article/-char/ja/