同期整流型DC-DCコンバータにおけるSiCおよびGaNパワートランジスタの電磁雑音源特性評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2020/12/01

タイトル(英語): EMI Noise Source Characterization for SiC and GaN Power Transistors in Synchronous Rectification DC-DC Converter

著者名: 井渕　貴章（大阪大学大学院工学研究科），舟木　剛（大阪大学大学院工学研究科）

著者名(英語): Takaaki Ibuchi (Graduate School of Engineering, Osaka University), Tsuyoshi Funaki (Graduate School of Engineering, Osaka University)

キーワード: 電磁雑音（EMI），同期整流型DC-DCコンバータ，SiC MOSFET，GaN HEMT，Prony法　　electromagnetic interference (EMI)，synchronous rectification DC-DC converter，SiC MOSFET，GaN HEMT，Prony method

要約(英語): Fast switching operation of Silicon carbide (SiC) and Gallium nitride (GaN) power semiconductor devices could be a severe electromagnetic interference (EMI) noise source of high-voltage power converter. This paper experimentally evaluates the dynamic characteristics of SiC and GaN power transistor in synchronous rectification DC-DC converter and characterized it as an EMI noise source. The results suggest that the characteristics of unipolar device of SiC MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) and GaN HEMT (high-electron-mobility transistor) show large-amplitude and slow-damped ringing oscillation in the switching waveform. It will influence on the EMI level of power converter in several tens of megahertz range.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.140 No.12 （2020） 特集：2019年環境電磁工学国際シンポジウム（EMC Sapporo and APEMC 2019）

本誌掲載ページ: 565-572 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/140/12/140_565/_article/-char/ja/