質量分析によるSi-DLC成膜用Si(CH3)4プラズマから基板への入射ラジカルとイオンの計測
質量分析によるSi-DLC成膜用Si(CH3)4プラズマから基板への入射ラジカルとイオンの計測
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門
発行日: 2022/06/01
タイトル(英語): Mass Spectrometric Study on Ions and Radicals in Tetramethylsilane Plasma for Si-containing Diamond-Like Carbon Coating
著者名: 鈴木 駿(千葉工業大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻),渡邉 泰章(イノベーションサイエンス(株)),石井 晃一(千葉工業大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻),小田 昭紀(千葉工業大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻),上坂 裕之(岐阜大学 工学部 機械工学科),太田 貴之(名城大学 理工学部 電気電子工学科)
著者名(英語): Shun Suzuki (Chiba Institute of Technology), Yoshiaki Watanabe (Innovation Science Co., Ltd.), Koichi Ishii (Chiba Institute of Technology), Akinori Oda (Chiba Institute of Technology), Hiroyuki Kousaka (Gifu University), Takayuki Ohta (Meijo University)
キーワード: プラズマCVD,ダイヤモンドライクカーボン,テトラメチルシラン,質量分析 plasma-enhanced CVD,diamond-like carbon,tetramethylsilane,mass spectrometry
要約(英語): Si-containing diamond-like carbon (Si-DLC) thin films have been expected for the coating technique of sliding parts in automobile, since Si-DLC thin films have lower friction coefficient compared with conventional DLC thin films. Plasma-enhanced chemical vapor deposition using tetramethylsilane (TMS) gas has been mainly utilized for the fabrication of Si-DLC thin films. In this article, the mass spectrometric study on Ar-diluted TMS plasmas was performed, and then the influence of the external experimental parameters (i.e., input power and total gas-flow rate) on mass spectrum of the plasmas was examined.
本誌: 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.142 No.6 (2022) 特集:バイオ・医療における磁界・磁性材料の応用研究と産学官連携
本誌掲載ページ: 269-275 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/142/6/142_269/_article/-char/ja/
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