シリコンのアブレーション閾値のレーザ入射角依存性

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2023/10/02

タイトル(英語): Dependence of Ablation Thresholds for Silicon on Laser Incident Angle

著者名: 草場　光博（大阪産業大学大学院工学研究科電子情報通信工学専攻），児子　史崇（大阪産業大学大学院工学研究科電子情報通信工学専攻），橋田　昌樹（東海大学総合科学技術研究所／京都大学化学研究所）

著者名(英語): Mitsuhiro Kusaba (Graduate School of Engineering, Osaka Sangyo University), Fumitaka Nigo (Graduate School of Engineering, Osaka Sangyo University), Masaki Hashida (RIST, Tokai University/ICR, Kyoto University)

キーワード: アブレーション閾値，シリコン基板，XeClエキシマレーザ，偏光，入射角　　ablation threshold，silicon substrate，XeCl excimer laser，polarization，incident angle

要約(英語): This study investigated the dependence of ablation thresholds for Si on the incident angle of a P- or S- polarized XeCl excimer laser (0°, 15°, 30°, 45°, and 60°). As the incident angle increased, the ablation threshold decreased for the P-polarized laser and increased for the S-polarized laser. It was found that the dependence of the ablation threshold on laser incident angle was related to the incidence angle dependence of the reflectance for P-polarized or S-polarized laser light. Based on observed laser incident angle dependence of the ablation threshold for Si, periodic nanostructures of several hundreds of nanometers were formed over the entire surface of a pyramid structure when silicon solar cells were irradiated with linearly polarized laser pulses rotated 90° at a laser fluence of 0.5 J/cm2.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.143 No.10 （2023） 特集：未来社会に向けた先端光応用・視覚技術II

本誌掲載ページ: 314-319 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/143/10/143_314/_article/-char/ja/