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半導体ガスセンサの過渡応答への活性化エネルギーの影響

半導体ガスセンサの過渡応答への活性化エネルギーの影響

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カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2012/04/01

タイトル(英語): Effects of Activation Energy to Transient Response of Semiconductor Gas Sensor

著者名: 藤本 晶(和歌山工業高等専門学校電気情報工学科),大谷 龍輝(和歌山工業高等専門学校電気情報工学科)

著者名(英語): Akira Fujimoto (Wakayama Nat. Col. of Tech. Dep. of Elec. and Comp. Eng.), Tatsuki Ohtani (Wakayama Nat. Col. of Tech. Dep. of Elec. and Comp. Eng.)

キーワード: 半導体ガスセンサ,過渡応答,活性化エネルギー  semiconductor gas sensor,transient response,activation energy

要約(英語): The smell classifiable gas sensor will be desired for many applications such as gas detection alarms, process controls for food production and so on. We have tried to realize the sensor using transient responses of semiconductor gas sensor consisting of tin dioxide and pointed out that the sensor gave us different transient responses for kinds of gas. Results of model calculation showed the activation energy of chemical reaction on the sensor surface strongly depended on the transient response. We tried to estimate the activation energies by molecular orbital calculation with SnO2 Cluster. The results show that there is a liner relationship between the gradient of the transient responses and activation energies for carboxylic and alcoholic gases. Transient response will be predicted from activation energy in the same kind of gas and the smell discrimination by single semiconductor gas sensor will be realized by this relationship.

本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.132 No.4 (2012)

本誌掲載ページ: 526-530 p

原稿種別: 論文/日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/132/4/132_4_526/_article/-char/ja/

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