Anisotropy of Drift Velocity in Electron Transport Simulation in Silicon

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2012/11/01

タイトル(英語): Anisotropy of Drift Velocity in Electron Transport Simulation in Silicon

著者名: Yoshihiro Osada (Kurume National College of Technology)

著者名(英語): Yoshihiro Osada (Kurume National College of Technology)

キーワード: Monte Carlo simulation，Drift velocity，Anisotropy，Silicon

要約(英語): Ensemble Monte Carlo simulation based on analytic band model has been researched and developed for electron transport in silicon. The simulation shows anisotropy of drift velocity for different directions of electric fields as in the case of full band model. This phenomenon is due to the anisotropy of electron effective masses in X valley.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.132 No.11 （2012） 特集：電気関係学会関西連合大会

本誌掲載ページ: 1880-1881 p

原稿種別: 研究開発レター／英語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/132/11/132_1880/_article/-char/ja/