温度係数に対する面積の増大を抑えた低電圧PTAT電圧源の構成

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/02/01

タイトル(英語): Low-Voltage PTAT Voltage Reference with Area Efficiency Improved

著者名: 和田　和千（明治大学 理工学部 電気電子生命学科），伊藤　遼（明治大学 理工学部 電気電子生命学科），関根　かをり（明治大学 理工学部 電気電子生命学科）

著者名(英語): Kazuyuki Wada (Dept. of Electronics and Bioinformatics, Meiji University), Ryo Ito (Dept. of Electronics and Bioinformatics, Meiji University), Kawori Sekine (Dept. of Electronics and Bioinformatics, Meiji University)

キーワード: PTAT，MOSFET，弱反転，指数関数特性　　PTAT，MOSFET，subthreshold region，exponential characteristic

要約(英語): The structure of Proportional-to-Absolute-Temperature (PTAT) voltage reference with MOSFETs operating in the subthreshold region is proposed. It is based on conventional one the equivalent operation of which is being achieved from the viewpoint of relations between voltages and currents of MOSFETs. The derived structure relaxes the occupied area. Experimental results of a PTAT voltage reference implemented on a chip as an example are shown.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.2 （2013） 特集：省電力時代の電子回路技術

本誌掲載ページ: 245-250 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/2/133_245/_article/-char/ja/