ミリ波帯GaN増幅器技術の発展
ミリ波帯GaN増幅器技術の発展
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門
発行日: 2013/03/01
タイトル(英語): Development of Millimeter-wave High Power GaN Amplifier Technology
著者名: 松永 高治(NECスマートエネルギー研究所),服部 渉(NECグリーンプラットフォーム研究所)
著者名(英語): Kohji Matsunaga (Smart Energy Research Laboratories, NEC Corporation), Wataru Hattori (Green Platform Research Laboratories, NEC Corporation)
キーワード: 窒化ガリウム,GaN増幅器,Si基板上GaN,GaN_MMIC,無線,ミリ波 GaN_FET,Amplifier,GaN on Si substrate,GaN_MMIC,Wireless,Millimeter wave
要約(英語): This paper describes the first results on transmission performances of newly developed high power amplifier millimeter wave 3-stage GaN_MMICs (monolithic microwave integrated circuit) on a Si substrate and a small size wireless power amplifier module equipped with the GaN_MMIC. The high power type of GaN_MMIC and the voltage gain type are fabricated, and both MMICs show over 28-dBm output power at 38GHz band. The power amplifier module including the MMICs and bias circuits exhibits lower than -34dBc of adjacent channel leakage ratio at 25-dBm output power and QPSK-operation. Moreover, the power module exhibits 16QAM 600-Mbps transmission rate at 25-dBm output power.
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.133 No.3 (2013) 特集Ⅰ:電磁波の技術と科学および信号処理 特集Ⅱ:電子・情報・システム分野の最先端技術
本誌掲載ページ: 465-470 p
原稿種別: 解説/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/3/133_465/_article/-char/ja/
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