ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeNx/Ge構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/07/01

タイトル(英語): Interface-State-Density Evaluation of p-type and n-type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique

著者名: 岩崎　拓郎（弘前大学），小野　俊郎（弘前大学），王谷　洋平（諏訪東京理科大学），福田　幸夫（諏訪東京理科大学），岡本　浩（弘前大学）

著者名(英語): Takuro Iwasaki (Hirosaki University), Toshiro Ono (Hirosaki University), Yohei Otani (Tokyo University of Science, Suwa), Yukio Fukuda (Tokyo University of Science, Suwa), Hiroshi Okamoto (Hirosaki University)

キーワード: Ge，MIS，Ge-MIS，界面準位，コンダクタンス法　　Ge，MIS，Ge-MIS，Interface State，Conductance Technique

要約(英語): A Ge-MIS structure has attracted the attention for next generation CMOS devices. We have reported that the GeNx/Ge structure with low interface state density can be made by ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma technique, and that the interface state density of Ge-MIS structures can be evaluated by the characteristic analysis in the inversion region even at room temperature. In this report, we evaluated the interface state density of p- and n-type GeNx/Ge structures by conductance technique at low temperature and the characteristic analysis at room temperature, and these of process dependences. We have successfully evaluated the interface characteristics of GeNx/Ge structures. The interface-state density was symmetrically distributed with respect to midgap, and the density near midgap was close to that of the GeO2/Ge structure.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.7 （2013） 特集：平成24 年電気学会電子・情報・システム部門大会

本誌掲載ページ: 1279-1284 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/7/133_1279/_article/-char/ja/