Simulation Analysis of Anisotropy of Electron Transport in Silicon

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2014/11/01

タイトル(英語): Simulation Analysis of Anisotropy of Electron Transport in Silicon

著者名: Yoshihiro Osada (Nara National College of Technology)

著者名(英語): Yoshihiro Osada (Nara National College of Technology)

キーワード: Monte Carlo simulation，Drift velocity，Anisotropy，Silicon

要約(英語): Electron transport in silicon is analyzed using Ensemble Monte Carlo simulation based on analytic band model. For <001>, larger valley occupation in X valleys on the kz-axis with smaller drift velocity leads to stronger anisotropy of total electron drift velocity. Generalizing from this result, larger valley occupation in X valleys with smaller drift velocity leads to stronger anisotropy of total electron drift velocity. This phenomenon is due to the anisotropy of electron effective masses in X valley.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.134 No.11 （2014） 特集Ⅰ：電気関係学会関西連合大会　特集Ⅱ：国際会議ヒューマナイズド　システム2013

本誌掲載ページ: 1760-1761 p

原稿種別: 研究開発レター／英語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/134/11/134_1760/_article/-char/ja/