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3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価

3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価

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カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2015/07/01

タイトル(英語): Characterization of Low Temperature SiNx Films for 3D/2.5D-IC TSV

著者名: 小林 靖志((株)富士通研究所),中田 義弘((株)富士通研究所),中村 友二((株)富士通研究所),武山 眞弓(北見工業大学),佐藤  勝(北見工業大学),野矢 厚(北見工業大学)

著者名(英語): Yasushi Kobayashi (Fujitsu Laboratories Ltd.), Yoshihiro Nakata (Fujitsu Laboratories Ltd.), Tomoji Nakamura (Fujitsu Laboratories Ltd.), Mayumi B. Takeyama (Kitami Institute of Technology), Masaru Sato (Kitami Institute of Technology), Atsushi Noya (Kitami Institute of Technology)

キーワード: 3次元/2.5次元,低温,高密度,窒化シリコン膜,プラズマCVD,反応性スパッタ  3D/2.5D-IC,Low temperature,High density,Silicon nitride film,Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,Reactive sputtering

要約(英語): For realizing highly reliable Cu wiring in 3D/2.5D-IC, SiNx films formed by the reactive sputtering deposition and the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at low substrate temperatures are characterized and compared by use of X-ray reflectivity (XRR), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The film density obtained by XRR shows clear difference between the sputtering and PECVD films. Si-H bonding concentrations obtained by analyzing FT-IR spectra show good correlations with the film densities independent of deposition methods and conditions. Lower density properties of PECVD films could be attributed to higher density of residual Si-H bonds in the films.

本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.135 No.7 (2015) 特集:平成26 年電子・情報・システム部門大会

本誌掲載ページ: 733-738 p

原稿種別: 論文/日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/135/7/135_733/_article/-char/ja/

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