高速・低損失SiC-MOSFET駆動回路の検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2015/07/01

タイトル(英語): Fast and Low Loss Gate Driver for SiC-MOSFET

著者名: 山口　浩二（（株）IHI），馬籠　隼一（（株）IHI），佐々木　裕司（（株）IHI）

著者名(英語): Koji Yamaguchi (IHI Corporation), Junichi Magome (IHI Corporation), Yuji Sasaki (IHI Corporation)

キーワード: 窒化ケイ素（SiC），MOSFET，半導体駆動回路，インバータ，EMI　　SiC，MOSFET，Gate Driver，Inverter，EMI

要約(英語): This paper presents the gate driver with fast switching and low switching loss for SiC-MOSFETs. The proposed driver consists of very simple gate boost circuit and speed up circuit and also it is cost-effective. Normally, conventional gate drive methods have some trade-offs between switching losses and noise. The proposed gate driver can reduce switching losses without increasing surge and ringing voltage and current. The proposed gate driver is able to break the trade-offs of switching characteristics.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.135 No.7 （2015） 特集：平成26 年電子・情報・システム部門大会

本誌掲載ページ: 752-760 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/135/7/135_752/_article/-char/ja/