SiC-MOSFETスイッチトリラクタンスモータ駆動回路の検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2015/07/01

タイトル(英語): SiC-MOSFET Converter for Switched Reluctance Motors

著者名: 山口　浩二（（株）IHI），馬籠　隼一（（株）IHI）

著者名(英語): Koji Yamaguchi (IHI Corporation), Junichi Magome (IHI Corporation)

キーワード: 窒化ケイ素（SiC），MOSFET，半導体駆動回路，スイッチトリラクタンスモータ（SRM），EMI　　SiC，MOSFET，Gate Driver，Switched Reluctance Motor (SRM)，EMI

要約(英語): This paper presents 10 kW SiC-MOSFET converter for driving SRMs. We proposed gate driver which can reduce switching losses and switching delay at the same time. The SRM converter with the proposed gate driver has higher efficient drive capability compared to silicon IGBT. Because of this high efficient drive advantage, we can apply higher switching frequency to reduce current ripple, or add more switching devices to improve converter performances. We improved current control characteristics with 80 kHz switching frequency, and also add some switching devices and boost capacitor to expand output torque range of SRMs.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.135 No.7 （2015） 特集：平成26 年電子・情報・システム部門大会

本誌掲載ページ: 761-768 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/135/7/135_761/_article/-char/ja/