シリコンIGBTの最新技術

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2017/01/01

タイトル(英語): Latest Technology in Silicon IGBT

著者名: 山崎　みや（オリジン電気（株）），白石　正樹（（株）日立製作所），清水　尚博（名古屋大学），湊　忠玄（三菱電機（株）），西脇　克彦（トヨタ自動車（株））

著者名(英語): Miya Yamazaki (Origin Electric Co., Ltd.), Masaki Shiraishi (Hitachi Ltd.), Naohiro Shimizu (Nagoya University), Tadaharu Minato (Mitsubisi Electric Corporation), Katsuhiko Nishiwaki (Toyota Motor Corporation)

キーワード: IGBT，パワーデバイス，解析　　IGBT，power device，analysis

要約(英語): IGBT as the representative of the MOS-bipolar device has widely used for power conversion system, because it has the high controllability as MOS gate device and high breakdown voltage with low ON resistance as bipolar device simultaneously. IGBT has the potential to satisfy so many requirement such as low loss, low switching noise, high breakdown voltage, low cost, high efficiency and high reliability. In this paper, we summarize recent topics of IGBT and its analysis from the above points of view.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.137 No.1 （2017） 大特集：電子・情報・システム部門誌 30周年記念「電子・情報・システム技術によるイノベーション」

本誌掲載ページ: 2023/06/12 p

原稿種別: 解説論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/137/1/137_6/_article/-char/ja/