新材料パワーデバイスの最新技術

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2017/01/01

タイトル(英語): Development Status of New Material Power Devices

著者名: 岩室　憲幸（筑波大学 数理物質系 物理工学域），坂東　章（昭和電工（株）事業開発センター パワー半導体プロジェクト），矢野　浩司（山梨大学大学院総合研究部工学域電気電子情報工学系），宮澤　哲哉（電力中央研究所 材料科学研究所 電気材料領域），江口　博臣（トヨタ自動車（株）パワーエレクトロニクス開発部），三浦　喜直（ルネサスシステムデザイン（株）第3開発事業部），鹿内　洋志（サンケン電気（株）次世代デバイス開発部），池田　成明（古河電気工業（株）研究開発本部企画部），上本　康裕（パナソニックセミコンダクター

著者名(英語): Noriyuki Iwamuro (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Akira Bandoh (Showa Denko K. K.), Koji Yano (Faculty of Engineering, Graduate Faculty of Interdisciplinary Research, University of Yamanashi), Tetsuya Miyazawa (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)), Hiroomi Eguchi (TOYOTA MOTOR Corp., Power Electronics Development Div.), Yoshinao Miura (Renesas System Design Co., Ltd., Development Div. 3), Yoji Shikauchi (Sanken Electric Co., Ltd.), Nariaki Ikeda (Furukawa Electric Co. Ltd.), Yasuhiro Uemoto (Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.), Atsushi Hiraiwa (Research Organization for Nano & Life Innovation, Waseda University)

キーワード: 炭化ケイ素（SiC），窒化ガリウム（GaN），ダイヤモンド　　silicon carbide，gallium nitride，diamond

要約(英語): Efficiency and controllability of power electronics is highly affected by power device performances, such as low on-resistance and high speed switching. In recent years, SiC, GaN, and diamond are expected to be used for making superior power devices, since Si device performance is approaching the material limit. In this paper, we review recent advances of the new material devices, by picking up some papers presented in power-device related conferences and journals.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.137 No.1 （2017） 大特集：電子・情報・システム部門誌 30周年記念「電子・情報・システム技術によるイノベーション」

本誌掲載ページ: 13-19 p

原稿種別: 解説論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/137/1/137_13/_article/-char/ja/