PiNダイオード高水準注入についてのシミュレーションと解析計算の比較による考察

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2017/07/01

タイトル(英語): Investigation of High Level Injection State of PiN Diodes by Comparing Simulation Results and Analytical Theory

著者名: 寺島　知秀（三菱電機（株） パワーデバイス製作所），藤原　康文（大阪大学大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻）

著者名(英語): Tomohide Terashima (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Yasufumi Fujiwara (Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University)

キーワード: PiNダイオード，伝導度変調，高水準注入，両極性拡散　　PiN diode，carrier modulation，high level injection，ambipolar diffusion

要約(英語): This paper reports analytical evaluation for high level injection state of PiN diodes. In the analytical theory, we take account of current continuity at the both ends of i-layer, and its physical parameters are evaluated by comparison to device simulation results. Then, we analyze optimum parameters for maximum forward current by using the analytical theory. Besides, we employ R(resistance at forward biased PiN diode) × Q(stored carrier in i-layer) for the index of total performance. RQ has minimum value as a function of lifetime, and it is confirmed that longer lifetime and high current density operation has a great effect for RQ reduction.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.137 No.7 （2017） 特集：平成28年電子・情報・システム部門大会

本誌掲載ページ: 918-926 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/137/7/137_918/_article/-char/ja/