28 nm FD-SOIプロセスにおける基板バイアスを用いた低雑音増幅器の低消費電力化

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2018/01/01

タイトル(英語): Low-power Low-noise Amplifier Employing Body Bias Control with 28 nm FD-SOI Process

著者名: 三屋　伸明（明治大学 理工学部 電気電子生命学科），福田　裕希（明治大学 理工学部 電気電子生命学科），関根　かをり（明治大学 理工学部 電気電子生命学科），和田　和千（明治大学 理工学部 電気電子生命学科）

著者名(英語): Nobuaki Mitsuya (School of Science and Technology, Meiji University), Yuki Fukuda (School of Science and Technology, Meiji University), Kawori Sekine (School of Science and Technology, Meiji University), Kazuyuki Wada (School of Science and Technology, Me

キーワード: 低雑音増幅器，低消費電力，基板バイアス制御，28nm FD-SOI＼low-noise amplifier，low power，body bias control，28nm FD-SOI

要約(英語): Body-bias control technique which is useful method with fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) transistor circuits for low-power design is employed for an optimization method of the tradeoff between RF performance and current consumption. A 2.4-GHz low-power low-noise amplifier (LNA) is designed with a 28-nm FD-SOI process. By tuning drain current and body-biases, the LNA with low power consumption can be designed while keeping the performance of zero body-bias.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.138 No.1 （2018） 特集：電子回路関連技術

本誌掲載ページ: 84-85 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/138/1/138_84/_article/-char/ja/