ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Oxide Field-Effect Transistor with Polymer-Based Gate Insulator

著者名: 藤原　宏平（東北大学金属材料研究所）

著者名(英語): Kohei Fujiwara (Institute for Materials Research, Tohoku University)

キーワード: 機能性酸化物，電界効果トランジスタ，電界効果，静電キャリア蓄積，ゲート絶縁体　　functional oxides，field-effect transistors，field effect，electrostatic carrier accumulation，gate insulator

要約(英語): Development of field-effect transistors (FETs) using functional oxide films is currently an area of active research. To effectively modulate electrical conduction properties, the formation of oxide channel/gate insulator interface is critical. In this technical note, a gate insulator fabrication technique based on a poly(para-xylylene) coating method, some examples of FETs on new oxide materials, and potential applications to flexible oxide FETs are described.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.139 No.3 （2019） 特集：フレキシブルセラミックスコーティング

本誌掲載ページ: 207-210 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/3/139_207/_article/-char/ja/