ヒステリシスを有する可変しきいMOSゲート

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2019/09/01

タイトル(英語): Hysterisial Variable-Threshold MOS Gates

著者名: 長田　康敬（琉球大学 工学部 電子情報通信コース），河口　万由香（北海道大学大学院情報科学研究科），山田　親稔（沖縄工業高等専門学校），宮城　武志（琉球大学 工学部 電子情報通信コース）

著者名(英語): Yasunori Nagata (Electronics, Information and Communication Engineering Course, University of the Ryukyus), Mayuka F. Kawaguchi (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University), Chikatosi Yamada (Okinawa National College of Technology), Takeshi Miyagi (Electronics, Information and Communication Engineering Course, University of the Ryukyus)

キーワード: しきいゲート，非同期回路，可変しきい値，ヒステリシスゲート，ニューロンMOS　　threshold gate，asynchronous circuits，variable threshold，hysteresis gate，neuronmos

要約(英語): Asynchronous circuits are a technique in order to solve the some serious synchronous circuits' problems such as clock skew, power consumption and electromagnetic noise. In this paper, we designed histerisial variable-threshold gates based on neuron MOS transistors for asynchronous circuits. The proposed hysteresial variable-threshold gates are also expected usuful for neural networks or machine larning for the hysteresis, that is memory, characteristics. The developed gates having variable-threshold operations can be used to set a threshold of a neuron. The simulation results of hysteresial variable-threshold gates are provided with SPICE simulator. The synthesized hysterisial variable-threshold gates has three gate-inputs and two control wires. Then asynchronous half-adder is demonstrated as an arithmetic circuit example.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.139 No.9 （2019） 特集：知能メカトロニクス分野と連携する知覚情報技術

本誌掲載ページ: 958-963 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/9/139_958/_article/-char/ja/