GaNを用いた半導体試験装置向け8 Gbps高速リレーMMIC

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2021/08/01

タイトル(英語): GaN 8Gbps High-Speed Relay MMIC for Automated Test Equipment

著者名: 小山　慧（（株）アドバンテスト研究所），佐藤　拓（（株）アドバンテスト研究所），岡安　潤一（（株）アドバンテスト研究所），岡部　秀之（（株）アドバンテスト研究所），君島　正幸（（株）アドバンテスト研究所）

著者名(英語): Satoshi Koyama (Advantest Labs.), Taku Sato (Advantest Labs.), Jun'ichi Okayasu (Advantest Labs.), Hideyuki Okabe (Advantest Labs.), Masayuki Kimishima (Advantest Labs.)

キーワード: 窒化ガリウム，MIS-HEMT，RFスイッチ，半導体試験装置　　gallium nitride，MIS-HEMT，RF switch，automated test equipment

要約(英語): An 8 Gbps high-speed relay MMIC for an Automated Test Equipment (ATE) using a gallium nitride is developed and evaluated. Metal-Insulator-Semiconductor structure with a tantalum oxynitride is employed to reduce a leakage current for ATE applications. The fabricated MMIC shows 0.3 nA of the leakage current, 12 GHz of a -3 dB bandwidth, and excellent eye-opening of 8 Gbps signals with a 18-leads QFN package. The MMIC has 2.0×2.4 mm of package size and achieves higher channel density than an existing photo relay generally applied in ATE.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.141 No.8 （2021） 特集：Smart Cityのためのモビリティ及び通信技術

本誌掲載ページ: 856-859 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/141/8/141_856/_article/-char/ja/