量子ドリフト拡散モデルを用いたナノシート構造における量子閉じ込め効果の解析

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2022/11/01

タイトル(英語): Analysis of Quantum Confinement in Nanosheet FETs by Using a Quantum Drift Diffusion Model

著者名: 松田　将（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科），廣木　彰（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科）

著者名(英語): Masashi Matsuda (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology), Akira Hiroki (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)

キーワード: 量子ドリフト拡散モデル，デバイスシミュレーション，量子閉じ込め効果，ナノシートMOSFETs_x000D_　　quantum drift diffusion (QDD) model，device simulation，quantum confinement effects，nanosheet MOSFETs

要約(英語): In this paper, we have analyzed quantum confinement effects in nanosheet MOSFETs by using a quantum drift-diffusion (QDD) model. The QDD model is a device simulator which allows to simulate quantum confinement effects in the inversion layer for advanced MOSFETs. The quantum confinement effects in nanosheets have been analyzed by comparing the simulation results by QDD and drift-diffusion (DD) model. The drain current ratio of DD to QDD is 250.1% at VG = 0.5 V and 180.1% at VG = 0 V. While the maximum electron density of DD exists at the interface between the insulator and the silicon sheet, that of QDD goes to near the center of the silicon sheet. The electron areal density ratio of DD to QDD is 118.3% in the direction of the 10 nm width of the silicon sheet and 176.9% in the direction of the 4 nm width.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.142 No.11 （2022） 特集：電気関係学会関西連合大会

本誌掲載ページ: 1174-1179 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/142/11/142_1174/_article/-char/ja/