「シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術」――特集号によせて――

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Preface to the Special Issue on “The latest silicon and wide bandgap power semiconductor technologies”

著者名: 白石　正樹（（株）日立パワーデバイス）

著者名(英語): Masaki Shiraishi (Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.)

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 185-185 p

原稿種別: 巻頭言／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_185/_article/-char/ja/