IGBTターンオフスイッチングにおけるサージ電圧解析

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Analysis of Surge Voltage during Turn-Off Switching of IGBTs

著者名: 藤本　侑里（九州大学 応用力学研究所），西澤　伸一（九州大学 応用力学研究所），齋藤　渉（九州大学 応用力学研究所）

著者名(英語): Yuri Fujimoto (Kyushu University), Shin-ichi Nishizawa (Kyushu University), Wataru Saito (Kyushu University)

キーワード: IGBT，パワーデバイス　　IGBT，power devices

要約(英語): Surge voltage at IGBT turn-off switching was analyzed with dependence on cell design parameters. Although drift layer thinning is effective to improve trade-off characteristics between turn-off loss Eoff and on-state voltage Von, voltage surge is induced due to quick expanding depletion layer. Therefore, the surge voltage Vsurge has also trade-off relationship with the Von at the same Eoff condition. The origin of voltage surge was analyzed using TCAD simulation, and total amount of remained hole in the drift layer during turn-off switching is a key factor for the Vsurge. Narrow mesa structure and thick buffer layer are effective for improvement of trade-off characteristics between Vsurge and Von.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 198-203 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_198/_article/-char/ja/