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マルチゲート制御によるIGBTの低損失化

マルチゲート制御によるIGBTの低損失化

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カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Switching Loss Reduction in IGBTs by Multi-gate Control

著者名: 下條 亮平(東芝デバイス&ストレージ(株)),坂野 竜則((株)東芝 研究開発センター),岩鍜治 陽子(東芝デバイス&ストレージ(株))

著者名(英語): Ryohei Gejo (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation), Tatsunori Sakano (Corporatate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation), Yoko Iwakaji (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: IGBT,RC-IGBT,マルチゲート,スイッチング損失  IGBT,reveres-conducting IGBT,multi-gate,switching loss

要約(英語): Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are now widely used in a variety of products ranging from home appliances to power conversion equipment. This paper introduces multi-gate control techniques for IGBTs with the aim of further reducing their total power loss. Results of experiments using prototype devices confirmed that multi-gate control achieves reductions in turn-off loss (Eoff), turn-on loss (Eon) and reverse recovery loss (Err) by 27%, 50% and 32%, respectively, compared with the conventional single-gate controlled devices.

本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集Ⅰ:スマートシステムと計測・制御技術 特集Ⅱ:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 212-216 p

原稿種別: 論文/日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_212/_article/-char/ja/

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