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蓄積電荷を時空制御した高電導IGBT (TASC HiGT)

蓄積電荷を時空制御した高電導IGBT (TASC HiGT)

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カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): High-conductivity IGBT with Time and Space Control of Stored Carrier (TASC HiGT)

著者名: 三好 智之(日立製作所 研究開発グループ),鈴木 弘(日立製作所 研究開発グループ),平尾 高志(日立製作所 研究開発グループ),高田 裕亮(日立製作所 研究開発グループ),古川 智康(日立製作所 研究開発グループ),森 睦宏(日立製作所 鉄道ビジネスユニット)

著者名(英語): Tomoyuki Miyoshi (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Hiroshi Suzuki (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Takashi Hirao (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Yusuke Takada (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Tomoyasu Furukawa (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Mutsuhiro Mori (Railway Systems Business Unit, Hitachi, Ltd.)

キーワード: IGBT,デュアルゲート,HiGT,蓄積電荷の時空間制御 (TASC),低電力損失  IGBT,dual-gate,High-conductivity IGBT (HiGT),Time And Space Control of stored carrier (TASC),low-loss

要約(英語): A concept on High-conductivity IGBT with Time And Space Control of stored carrier (TASC HiGT) for pursuit of low-loss is proposed. The function is divided into high-conductivity chip (Hc) and high-speed chip (Hs) controlled by Dual-gate so as to exhibit the optimum stored carrier density for conduction and switching operation. By obtaining controllability of the stored carrier density over the drift, a -47% trade-off improvement on 6.5 kV rated was demonstrated. The proposed concept can generate further -34% inverter loss effect keeping low-cost Si material merit.

本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集Ⅰ:スマートシステムと計測・制御技術 特集Ⅱ:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 221-227 p

原稿種別: 論文/日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_221/_article/-char/ja/

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