脱炭素社会に貢献する第3世代RC-IGBT技術

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): 3rd Gen. RC-IGBT Technology Contributing to a Decarbonized Society

著者名: 曽根田　真也（三菱電機（株） パワーデバイス製作所），小西　和也（三菱電機（株） 先端技術総合研究所），鈴木　健司（三菱電機（株） パワーデバイス製作所），阪口　浩介（三菱電機（株） パワーデバイス製作所），古川　彰彦（三菱電機（株） パワーデバイス製作所）

著者名(英語): Shinya Soneda (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Kazuya Konishi (Advanced Technology R&D center, Mitsubishi Electric Corporation), Kenji Suzuki (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Kosuke Sakaguchi (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Akihiko Furukawa (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: シリコンRC-IGBT，ゲート容量，バッファ構造，RC-IGBT用ダイオード構造，高密度ダイオードレイアウト　　silicon RC-IGBT，gate capacitance，buffer layer，diode structure for RC-IGBT，high-density diode arrangement

要約(英語): In this paper, a newly developed 3rd Gen. RC-IGBT is presented. To reduce the power loss and improve the heat dissipation of RC-IGBTs, we introduced four approaches, controlling Gate-capacitances, thin wafer technique, high-density diode arrangement, and low carrier injection anode and cathode. The superior performance of the 3rd Gen. RC-IGBT is very promising for the carbon neutral.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 228-233 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_228/_article/-char/ja/