アンペア級中耐圧β型酸化ガリウムMOSSBD開発

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Development of β-Ga2O3 MOSSBD Featuring Ampere-Class Forward Current and Medium Breakdown Voltage

著者名: 大塚　文雄（（株）ノベルクリスタルテクノロジー），宮本　広信（（株）ノベルクリスタルテクノロジー），九里　伸治（（株）ノベルクリスタルテクノロジー），佐々木　公平（（株）ノベルクリスタルテクノロジー），倉又　朗人（（株）ノベルクリスタルテクノロジー）

著者名(英語): Fumio Otsuka (Novel Crystal Technology, Inc.), Hironobu Miyamoto (Novel Crystal Technology, Inc.), Shinji Kunori (Novel Crystal Technology, Inc.), Kohei Sasaki (Novel Crystal Technology, Inc.), Akito Kuramata (Novel Crystal Technology, Inc.)

キーワード: β型酸化ガリウム，ショットキーバリアダイオード，MOS，1.2 kV耐圧　　β-Ga2O3，Schottky Barrier Diode，MOS，1.2 kV breakdown

要約(英語): We fabricated high forward and low leakage current trench MOS-type Schottky barrier diodes (MOSSBDs) on a 12-μm-thick epitaxial layer grown by halide vapor phase epitaxy on β-Ga2O3(001) substrate. The MOSSBDs, measuring 1.7×1.7 mm2, exhibited a forward current of 2 A (70 A/cm2) at 2 V forward voltage and a leakage current of 2×10-8 A/cm2 at -1.2 kV reverse voltage (on/off current ratio of > 109) with an ideality factor of 1.05 and wafer-level specific on-resistance of 17.1 mΩ・cm2. These results indicate that the MOSSBD is promising for practical high-voltage (AC 400 V) power applications.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 234-239 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_234/_article/-char/ja/