両面ゲートIGBT（BC-IGBT）におけるスケーリングの影響

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Impact of Scaling on Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT)

著者名: 更屋　拓哉（東京大学 生産技術研究所），伊藤　一夫（東京大学 生産技術研究所），高倉　俊彦（東京大学 生産技術研究所），鈴木　慎一（東京大学 生産技術研究所），福井　宗利（東京大学 生産技術研究所），竹内　潔（東京大学 生産技術研究所），平本　俊郎（東京大学 生産技術研究所）

著者名(英語): Takuya Saraya (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo), Kazuo Ito (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo), Toshihiko Takakura (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo), Shinichi Suzuki (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo), Munetoshi Fukui (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo), Kiyoshi Takeuchi (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo), Toshiro Hiramoto (Institute of Indutrial Science, The University of Tokyo)

キーワード: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ，両面ゲート，両面リソグラフィ，スケーリング，IE効果　　IGBT，double gate，double side lithography，scaling，injection enhancement

要約(英語): Back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) which uses a manufacturable double side lithography is experimentally demonstrated. The impact of IGBT scaling on BC-IGBT is evaluated in detail. A back gate control (BC-) mode in scaled IGBT shows better performance improvement compared with the BC-mode in non-scaled IGBT. Superior performance of BC-IGBT by optimizing both front side and back side design has been realized. Back gate control with scaled IGBT will provide a new technological option for expanding the frequency/voltage range of Si power devices, and become an attractive candidate for next generation high performance IGBTs.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 245-250 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_245/_article/-char/ja/