マルチエピ法及びトレンチ埋め戻しエピ法で作製した1.2 kV耐圧SiC SJ-MOSFETの性能比較

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

著者名: 染谷　満（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），大薗　国栄（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），紀　世陽（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），俵　武志（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），森本　忠雄（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），加藤　智久（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），児島　一聡（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター），原田　信介（国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター）

著者名(英語): Mitsuru Sometani (Advanced Power Electronics Research Center (ADPERC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)), Kunihide Oozono (ADPERC, AIST), Shiyang Ji (ADPERC, AIST), Takeshi Tawara (ADPERC, AIST), Tadao Morimoto (ADPERC, AIST), Tomohisa Kato (ADPERC, AIST), Kazutoshi Kojima (ADPERC, AIST), Shinsuke Harada (ADPERC, AIST)

キーワード: SiC，SJ-MOSFET，トレンチ埋め戻しエピ，静・動特性　　SiC，SJ-MOSFET，trench-filling epitaxial growth，static and dynamic characteristics

要約(英語): We compared static and dynamic characteristics of a 1.2 kV-Class SJ-MOSFET fabricated by the multi-epitaxial growth (ME) method and the trench-filling epitaxial growth (TFE) method, which is expected to have a lower process cost. Comparably low specific on-resistance and switching losses were observed for the SJ-MOSFETs fabricated by both methods.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 257-262 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_257/_article/-char/ja/