大容量通信システムに向けた低抵抗・低逆回復電荷パワーMOSFETの開発

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Development of Low On-Resistance and Low Reverse Recovery Charge Power MOSFET for Large-Capacity Communication Systems

著者名: 金子　敦司（東芝デバイス&ストレージ（株）），可知　剛（東芝デバイス&ストレージ（株）），加賀野井　啓介（東芝デバイス&ストレージ（株）），西脇　達也（東芝デバイス&ストレージ（株））

著者名(英語): Atsushi Kaneko (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation), Tsuyoshi Kachi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation), Keisuke Kaganoi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation), Tatsuya Nishiwaki (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: パワーMOSFET，トレンチフィールドプレート構造，オン抵抗，ゲート容量，ボディーダイオード，逆回復電荷　　power MOSFET，trench field plate structure，on-resistance，gate charge，body diode，reverse recovery charge

要約(英語): This paper proposes a low on-resistance and low reverse recovery charge Power MOSFET Technologies for large-capacity communication systems. We have developed 150 V class power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) products featuring low on-resistance, gate charge, and reverse recovery charge characteristics by deep trench field plate technology and lifetime control technique. On-resistance reduced by 44% and reverse recovery charge reduced by 74% compared to the previous generation product. The device achieved peak power conversion efficiency of 94.6%.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.3 （2024） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術　特集Ⅱ：シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術

本誌掲載ページ: 263-266 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/3/144_263/_article/-char/ja/