TDRによるMOSFET電圧依存性のキャパシタンス測定法

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2011/05/01

タイトル(英語): A Method for Measuring Voltage-Dependent Capacitance Using TDR System

著者名: 有賀善之介（首都大学東京），和田　圭二（首都大学東京），清水　敏久（首都大学東京）

著者名(英語): Zen-nosuke Ariga (Tokyo Metropolitan University), Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University), Toshihisa Shimizu (Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 回路パラメータ，等価回路，MOSFET，TDR，電圧依存性静電容量　　circuit parameter，equivalent circuit，MOSFET，TDR，voltage-dependent capacitance.

要約(英語): The measurement of circuit parasitic parameters and evaluation of equivalent circuit models are necessary for a noise analysis or a high-speed operation circuit design of power electronics circuits. Recently, time domain reflectmetry (TDR) has emerged as a technique for measuring circuit parameters. This paper proposes a TDR method for measuring the voltage-dependent capacitance of a power MOSFET. This method can be used to measure the output capacitance Coss of a MOSFET for any DC bias voltage. The Coss of a MOSFET with VDS=350 V was measured in an experiment, while the datasheet gives values of Coss only for V DS values in the range 35-100 V.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.131 No.5 （2011）

本誌掲載ページ: 747-753 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/131/5/131_5_747/_article/-char/ja/