新しい電圧検出型高速短絡保護回路を有する大電流IGBT用600VドライバIC

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2014/09/01

タイトル(英語): Development of 600V Driver IC for Large-Current IGBT Using New Short-Circuit Protection

著者名: 石川　勝美（(株) 日立製作所　交通システム社水戸交通システム本部），佐々木　正貴（(株) 日立製作所　日立研究所），小笠原　悟司（北海道大学）

著者名(英語): Katsumi Ishikawa (Mito Transportation System Product Division, Hitachi, Ltd.), Masataka Sasaki (Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.), Satoshi Ogasawara (Hokkaido University)

キーワード: 600V高耐圧IC，ハーフブリッジゲートドライバ，IGBT，新短絡保護回路　　600V high-voltage IC，half-bridge gate driver，IGBT，new short-circuit protection

要約(英語): This paper deals with the development of a 600V high-voltage half-bridge gate driver IC used to drive large-current IGBT (insulated gate bipolar transistor) inverters such as those used in HEVs (hybrid electric vehicles). In order to improve the robustness of a short-circuit operation, a new short-circuit protection circuit is proposed. Furthermore, a reduction in the short-circuit current is observed. Thus, the developed high-voltage IC can drive almost all types of IGBT modules up to 400A/600V.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.134 No.9 （2014）

本誌掲載ページ: 807-814 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/134/9/134_807/_article/-char/ja/