SiC-MOSFETを対象とした直流側寄生インダクタンスに起因するスイッチング損失の影響評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2017/02/01

タイトル(英語): Influence of DC-Side Stray Inductance on Switching Loss for Silicon Carbide MOSFET

著者名: 安東　正登（首都大学東京），和田　圭二（首都大学東京）

著者名(英語): Masato Ando (Tokyo Metropolitan University), Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 寄生インダクタンス，スイッチング損失，SiC　　stray inductance，switching loss，silicon carbide

要約(英語): Recently, high-speed switching circuits using SiC power devices have been developed for next-generation power electronics circuits and applied to actual traction systems in Japan. Stray inductances caused by DC capacitors, bus bars and power devices are one of the most critical parameters that influences over-voltage and switching loss. This paper presents an investigation into the influence of stray inductance on the switching performance of power devices. In particular, this paper focuses on the effects of stray inductance on both turn-on loss and turn-off loss, and can be estimated using the proposed impedance ratio method of the stray inductance. To verify the proposed procedure, experimental results are demonstrated using an all-SiC power module.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.137 No.2 （2017） 特集：平成28年産業応用部門大会

本誌掲載ページ: 168-174 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/137/2/137_168/_article/-char/ja/