SiCダイオードを搭載したCockcroft-Walton回路における昇圧比の向上および力率と効率の改善

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2017/02/01

タイトル(英語): Improvements in Boost Ratio, Power Factor, and Efficiency for Cockcroft-Walton Circuit with SiC Diode

著者名: 南　政孝（神戸市立工業高等専門学校 電気工学科），安田　匠（神戸市立工業高等専門学校 電気工学科），茂木　進一（神戸市立工業高等専門学校 電気工学科），道平　雅一（神戸市立工業高等専門学校 電気工学科）

著者名(英語): Masataka Minami (Kobe City College of Technology), Takumi Yasuda (Kobe City College of Technology), Shin-ichi Motegi (Kobe City College of Technology), Masakazu Michihira (Kobe City College of Technology)

キーワード: Cockcroft-Walton回路，昇圧比，力率，効率，接合容量，LC共振　　Cockcroft-Walton circuit，boost ratio，power factor，efficiency，junction capacitor，LC resonance

要約(英語): The Cockcroft-Walton (CW) circuit, which is well known as a high step-up rectifier, is used in a lot of systems. The boost ratio of the circuit decreases according to the load current and the diode junction capacitor. In addition, it is necessary for these rectifiers to use some power factor correctors. This paper investigates the circuit with SiC diodes and an added inductor. The proposed circuit is focused on LC resonance between the added inductor and the diode junction capacitors. It is experimentally clarified that the LC resonance improves the boost ratio, the power factor, and the efficiency in the proposed circuit.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.137 No.2 （2017） 特集：平成28年産業応用部門大会

本誌掲載ページ: 183-187 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/137/2/137_183/_article/-char/ja/