SiCデバイスを用いたAC/DCコンバータにおける伝導性ノイズのモデリング手法
SiCデバイスを用いたAC/DCコンバータにおける伝導性ノイズのモデリング手法
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【D】産業応用部門
発行日: 2018/11/01
タイトル(英語): Modeling Method of Conducted Noise on AC/DC Converter using SiC Devices
著者名: 川村 勇貴(名古屋工業大学),田中 英俊(名古屋工業大学),北川 亘(名古屋工業大学),竹下 隆晴(名古屋工業大学)
著者名(英語): Yuki Kawamura (Nagoya Institute of Technology), Hidetoshi Tanaka (Nagoya Institute of Technology), Wataru Kitagawa (Nagoya Institute of Technology), Takaharu Takeshita (Nagoya Institute of Technology)
キーワード: EMI,伝導性ノイズ,AC/DCコンバータ,SiC-MOSFET,高周波漏れ電流 EMI,conducted noise,AC/DC converter,SiC-MOSFET,high frequency leakage current
要約(英語): This paper describes a modeling method of conducted noise on an AC/DC converter using SiC devices. The simulation is performed by deriving an equivalent circuit from the measurement result of leakage current. By comparing the simulation and measurement results, the usefulness and validity of the proposed simulation method is confirmed.
本誌: 電気学会論文誌D(産業応用部門誌) Vol.138 No.11 (2018)
本誌掲載ページ: 857-863 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/138/11/138_857/_article/-char/ja/
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