SiCSBDを多直列接続した超高耐圧ダイオードモジュールの電圧分担に関する一考察

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2021/08/01

タイトル(英語): Voltage Distribution in Ultra High Voltage SBD Modules with Directly Stacked SiC SBD Bare Chips in Series

著者名: 野村　優貴（大阪大学大学院 工学研究科），舟木　剛（大阪大学大学院 工学研究科），花田　俊雄（福島SiC応用技研（株）），中村　孝（福島SiC応用技研（株））

著者名(英語): Yuki Nomura (Department of Electronic and Information Engineering, Osaka University), Tsuyoshi Funaki (Department of Electronic and Information Engineering, Osaka University), Toshio Hanada (Fukushima SiC Applied Engineering, Inc), Takashi Nakamura (Fukus

キーワード: 高電圧電源，Cockcroft-Walton回路，SiC，ショットキーバリアダイオード，電圧分担　　high voltage power supply，Cockcroft-Walton circuit，SiC，schottky barrier diode，voltage distribution

要約(英語): High voltage (HV) DC power suppliers are widely studied to improve the efficiency and reduce the size. Cockcroft-Walton (CW) voltage multiplier is generally used in conventional HV power supply owing to its high step-up ratio, low voltage stress on components, and compactness. HV DC power supply can be miniaturized by driving the system at high frequency (HF). In this study, an HV SiC schottky barrier diode (SBD) module was developed for HF HV CW circuits, which consist of multiple SiC SBDs directly connected in series and molded in a module package. The switching behavior of the developed SiC SBD module is discussed from the viewpoint of voltage distribution among SBDs.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.141 No.8 （2021）

本誌掲載ページ: 646-653 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/141/8/141_646/_article/-char/ja/