パワーデバイスの状態監視を目的とした入力容量Cissの測定機能を有するゲート駆動回路
パワーデバイスの状態監視を目的とした入力容量Cissの測定機能を有するゲート駆動回路
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【D】産業応用部門
発行日: 2022/06/01
タイトル(英語): Gate Drive Circuit with Input Capacitance Ciss Measurement Function for the Condition Monitoring of Power Devices
著者名: 林 真一郎(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学)
著者名(英語): Shin-Ichiro Hayashi (Tokyo Metropolitan University), Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)
キーワード: 状態監視,ゲート駆動回路,ゲート酸化膜,長期信頼性,SiC MOSFET condition monitoring,gate drive circuit,gate oxide,long-term reliability,SiC MOSFET
要約(英語): This paper presents an operation verification of a proposed gate drive circuit with a condition monitoring function for silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The proposed gate drive circuit has an in-situ measurement function of the input capacitance of SiC MOSFETs to detect gate oxide degradation, which is an issue affecting the long-term reliability of SiC MOSFETs. This study demonstrates, both theoretically and experimentally, that input capacitance is an aging precursor suitable for condition monitoring. In addition, experimental verification of the gate drive at a switching frequency of 20kHz and the in-situ measurement function of the input capacitance as condition monitoring are demonstrated for a 1.2kV SiC MOSFET.
本誌: 電気学会論文誌D(産業応用部門誌) Vol.142 No.6 (2022)
本誌掲載ページ: 471-479 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/142/6/142_471/_article/-char/ja/
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