SiC MOSFETとゲート駆動回路の温度特性がデッドタイムに与える影響の検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2022/07/01

タイトル(英語): Investigation of the Temperature Characteristics Effect of SiC MOSFET and its Gate Driving Circuit on its Dead Time

著者名: 二社谷　一樹（大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻），井渕　貴章（大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻），舟木　剛（大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻）

著者名(英語): Kazuki Nishatani (Div. Electrical, Electronic and Infocommunications Eng., Graduate School of Eng., Osaka University), Takaaki Ibuchi (Div. Electrical, Electronic and Infocommunications Eng., Graduate School of Eng., Osaka University), Tsuyoshi Funaki (Div. Electrical, Electronic and Infocommunications Eng., Graduate School of Eng., Osaka University)

キーワード: SiC MOSFET，ゲート駆動回路，スイッチング遅延，デッドタイム，温度特性　　SiC MOSFET，gate driving circuit，switching delay，dead time，temperature characteristics

要約(英語): SiC MOSFETs are expected to be applied to wide temperature and high frequency applications. This letter focuses on the temperature dependency of switching delay, which determines the effective dead time of SiC MOSFET. If the case temperature of the test target SiC MOSFET increases (Test-A), its effective dead time is reduced owing to the temperature characteristics of its gate threshold voltage. In constrast, if the case temperature of SiC MOSFET and that of CMOS Gate Driver IC increase simultaneously (Test-B), the effective dead time reduction at high temperature is decreased because the switching delay increment in turn-on for Test-A is larger than that in turn-off.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.142 No.7 （2022）

本誌掲載ページ: 559-560 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/142/7/142_559/_article/-char/ja/