並列接続されたSiC-MOSFETの電流アンバランス条件下における高速短絡保護の検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【D】産業応用部門

発行日: 2023/01/01

タイトル(英語): Fast Short-circuit Protection under Current Imbalance Condition for Multi-Paralleled SiC-MOSFETs

著者名: 鈴木　弘（（株）日立製作所 研究開発グループ），舟木　剛（大阪大学大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻）

著者名(英語): Hiroshi Suzuki (Research and Development Group, Hitachi, Ltd.), Tsuyoshi Funaki (Electronic and Infocommunications Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University)

キーワード: SiC-MOSFET，短絡，電流アンバランス，多並列チップ，高速電流検知_x000D_　　SiC-MOSFET，short-circuit，current imbalance，multi-paralleled dies，fast current detection

要約(英語): This paper proposes methodology and gate drive circuit that can immediately detect short-circuit (SC) of multi-paralleled SiC-MOSFETs even under current imbalance condition. Proposed method detects SC current using an integration circuit that can sense di/dt. The detection level of SC current can be adjusted to a desired value regardless of the number of SiC-MOSFETs connected in parallel. The effectiveness of the proposed approach was experimentally validated for four-paralleled SiC-MOSFETs under extreme current imbalance in SC condition. SC was detected within 0.5μs and all SiC-MOSFETs were protected without destruction at most 2.2μs after the onset of SC, for all types of SC 1, 2 and 3.

本誌: 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） Vol.143 No.1 （2023）

本誌掲載ページ: 35-45 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/143/1/143_35/_article/-char/ja/