高い電流利得を有するVibrating-Body Field-Effect Transistorの提案

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2013/11/01

タイトル(英語): Proposal of High Current Gain Vibrating-Body Field-Effect Transistor

著者名: 植木　真治（技術研究組合BEANS研究所　3DBEANSセンター／旭硝子(株)電子カンパニー 事業企画室 戦略企画グループ），西森　勇貴（技術研究組合BEANS研究所　3DBEANSセンター），三輪　和弘（技術研究組合BEANS研究所　3DBEANSセンター），中川　慎也（オムロン(株)マイクロデバイス事業推進本部 技術開発部 デバイスソリューション開発課），今本　浩史（技術研究組合BEANS研究所　3DBEANSセンター／オムロン(株)技術本部 PMEMSプロジェクト），久保田　智広（技術研究組合BEA

著者名(英語): Shinji Ueki (BEANS Project 3D BEANS Center/ASAHI GLASS CO., LTD. Electronics Business Planning Office Strategic Planning Gr.), Yuki Nishimori (BEANS Project 3D BEANS Center), Kazuhiro Miwa (BEANS Project 3D BEANS Center), Shinya Nakagawa (OMRON Corporation Device Solutions Development Sec, Product & Technology Development Dept, Micro Devices), Hiroshi Imamoto (BEANS Project 3D BEANS Center/OMRON Corporation PMEMS Project), Tomohiro Kubota (BEANS Project 3D BEANS Center/Tohoku University), Masakazu Sugiyama (BEANS Project 3D BEANS Center/The University of Tokyo), Seiji Samukawa (BEANS Project 3D BEANS Center/Tohoku University), Gen Hashiguchi (BEANS Project 3D BEANS Center/Shizuoka University)

キーワード: VB-FET，MOSFET，リング振動子　　VB-FET，MOSFET，Ring oscillator

要約(英語): In this study, we propose a high current gain Vibrating-Body Field-Effect Transistor (Vertical VB-FET). The device has a specific structure in which drain, channel, and source electrodes of the FET are stacked. Since the current flow direction in the device is perpendicular to the wafer surface, the W/Lc (W : channel width, Lc : channel length) value is increased and improved the properties of Vertical VB-FET. In order to evaluate the dynamic properties, we derived the Lagrange's function and the dissipation function from a resistance-capacitance ladder equivalent circuit. Using these functions, we calculated the transconductance and current gain for a ring structured VB-FET. As a result, the estimated transconductance of the Vertical VB-FET was 1.81×10-2mS, whereas 1.78×10-4mS for the conventional type VB-FET with the same structure dimensions. The current gain of the vertical VB-FET also increased 15 times as large as the conventional one.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.133 No.11 （2013）

本誌掲載ページ: 332-336 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/133/11/133_332/_article/-char/ja/