超並列電子線描画装置のためのピアース型ナノ結晶シリコン電子源アレイの作製

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2014/06/01

タイトル(英語): Fabrication of Pierce-Type Nanocrystalline Si Electron-Emitter Array for Massively Parallel Electron Beam Lithography

著者名: 西野　仁（東北大学 大学院工学研究科），吉田　慎哉（東北大学 原子分子材料科学高等研究機構），小島　明（（株）クレステック），池上　尚克（東京農工大学大学院工学府），田中　秀治（東北大学 大学院工学研究科），越田　信義（東京農工大学大学院工学府），江刺　正喜（東北大学 原子分子材料科学高等研究機構）

著者名(英語): Hitoshi Nishino (Graduate School of Engennering, Tohoku University), Shinya Yoshida (WPI-AIMR, Tohoku University), Akira Kojima (CRESTEC CORPORATION), Nokatsu Ikegami (Faculty of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology), Shuji Tanaka (Graduate School of Engennering, Tohoku University), Nobuyoshi Koshida (Faculty of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology), Masayoshi Esashi (WPI-AIMR, Tohoku University)

キーワード: 微小電気機械システム，超並列電子線描画，ナノ結晶シリコン，ピアース型電子源　　MEMS，electron emitter，nanocrystalline silicon，Pierce typed electron emitter

要約(英語): This paper reports on the fundamental process development of a Pierce-type nanocrystalline Si (nc-Si) electron emitter array for massively parallel electron beam (EB) lithography based on active-matrix operation using a large-scaled integrated circuit (LSI). The emitter array consists of 100×100 hemispherical emitters formed by isotropic wet etching of Si. EB resist patterning was demonstrated by 1:1 projection exposure using a discrete emitter array at CMOS-compatible operation voltages. Isolation trenches filled with benzocyclobutene (BCB) were fabricated in the Si substrate for independent control of each emitter using the LSI. The integration process of the emitter array, the LSI and an extraction electrode plate was also developed based on Au-In and polymer bonding technologies.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.134 No.6 （2014） 特集：第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文特集

本誌掲載ページ: 146-153 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/134/6/134_146/_article/-char/ja/