酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた高感度pHセンサの開発

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2015/06/01

タイトル(英語): High Sensitivity pH Sensors based on Amorphous Indium-gallium-zinc Oxide Thin-film Transistors

著者名: 岩松　新之輔(山形県工業技術センター),阿部　泰(山形県工業技術センター),矢作　徹(山形県工業技術センター),小林　誠也(山形県工業技術センター),竹知　和重(NLTテクノロジー(株)),田邉　浩(NLTテクノロジー(株))

著者名(英語): Shinnosuke Iwamatsu (Yamagata Research Institute of Technology), Yutaka Abe (Yamagata Research Institute of Technology), Toru Yahagi (Yamagata Research Institute of Technology), Seiya Kobayashi (Yamagata Research Institute of Technology), Kazushige Takechi (NLT Technologies, Ltd.), Hiroshi Tanabe (NLT Technologies, Ltd.)

キーワード: pHセンサ,インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物,薄膜トランジスタ,トップゲート効果,高感度　　pH sensor,a-InGaZnO,TFT,top-gate effect,high sensitivity

要約(英語): We propose a novel application of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors (a-InGaZnO TFT) to high sensitivity pH sensors. The concept of our pH sensors are based on the threshold-voltage shift of bottom-gate transfer characteristic owing to the charge generation on the top insulators, which were called top-gate effects. Utilizing top-gate effects on bottom-gate type a-InGaZnO TFTs, pH sensors with TaOx thin-film as an ion-sensitive insulator indicated high pH sensitivity beyond the Nernst-limit.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.135 No.6 （2015） 特集：第31回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文特集

本誌掲載ページ: 192-198 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/135/6/135_192/_article/-char/ja/