超並列電子線描画装置用アクティブマトリックスナノ結晶シリコン電子源の開発と動作特性評価に関するレビュー
超並列電子線描画装置用アクティブマトリックスナノ結晶シリコン電子源の開発と動作特性評価に関するレビュー
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門
発行日: 2015/06/01
タイトル(英語): Review of Development and Performance Evaluation of Active-matrix Nanocrystalline Si Electron Emitter Array for Massively Parallel Electron Beam Direct-write Lithography
著者名: 池上 尚克(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),小島 明(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),宮口 裕(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),吉田 孝(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),吉田 慎哉(東北大学 原子分子材料科学高等研究機構),室山 真徳(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),菅田 正徳((株)クレステック),越田 信義(東京農工大学大学院工学府),戸津 健太郎(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),江刺 正喜(東
著者名(英語): Naokatsu Ikegami (Tohoku University, Micro System Integration Center), Akira Kojima (Tohoku University, Micro System Integration Center), Hiroshi Miyaguchi (Tohoku University, Micro System Integration Center), Takashi Yoshida (Tohoku University, Micro System Integration Center), Shinya Yoshida (WPI-AIMR, Tohoku University), Masanori Muroyama (Tohoku University, Micro System Integration Center), Masanori Sugata (Crestec Corporation), Nobuyoshi Koshida (Tokyo University of Agriculture and Technology), Kentaro Totsu (Tohoku University, Micro System Integration Center), Masayoshi Esashi (Tohoku University, Micro System Integration Center/WPI-AIMR, Tohoku University)
キーワード: ナノ結晶シリコン,電子エミッタアレイ,アクティブマトリックス駆動LSI,超並列電子線描画装置 nanocrystalline Si,electron emitter array,active-matrix driving LSI,massively parallel electron beam direct-write lithography
要約(英語): This paper reviews our recent progress of application studies on planer-surface-type and Pierce-gun-type nanocrystalline silicon (nc-Si) ballistic electron emitter arrays, which were designed and prototyped to be able to integrate with a separately fabricated active-matrix large scale integrated driving circuit for the realization of massively parallel electron beam (EB) direct-write lithography. The unit enables all the pixels to be simultaneously driven in accordance with a bitmap image stored in a built-in memory and the beamlets to be switched on and off by operating the CMOS compatible voltage. Discussion in this paper will be focused on the process design and performance evaluations of the prototype nc-Si electron emitter arrays, which include electron emission and 1:1 pattern transfer characteristics. In addition, our currently addressing preliminary assessment of the 1:1 EB projection test, made using a test bench by externally LSI-driving the planer-surface-type emitter array, will be introduced.
本誌: 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) Vol.135 No.6 (2015) 特集:第31回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文特集
本誌掲載ページ: 221-229 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/135/6/135_221/_article/-char/ja/
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